hyst(Transistors) LSIC1MO120E0080 MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3 electron component Integrated Circuit LSIC1MO

Nog geen beoordelingen

Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.

Leverancier met meerdere specialismen15 yrs

CN

Belangrijkste kenmerken

Belangrijkste specificatie voor de industrie

modelnummer

LSIC1MO120E0080

type

Transistors

naam van het merk

Original brand

pakket type

Surface Mount

Andere specificaties

Montage Type

Through Hole

Beschrijving

standard

plaats van herkomst

Taiwan, China

Pakket/Case

-TO-247-3

type

MOSFET

Werktemperatuur

- 55 C + 150 C

Serie

LSIC1MO

D/c

D/C

toepassing

Solar Inverters

Supplier Type

Originele fabrikant, Odm

Cross Referentie

STWA40N90K5

Media Beschikbaar

Datasheet, Foto

品名

Transistors

Huidige-Collector (Ic) (Max)

-

Voltage-Collector Emitter Afbraak (Max)

-

Vce Verzadiging (Max) @ Ib, Ic

-

Huidige-Collector Cutoff (Max)

-

DC Stroom Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Power-Max

-

Frequentie-Overgang

-

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C

Mounting Type

Surface Mount

Weerstand-Base (R1)

-

Weerstand-Emitter Base (R2)

-

FET Type

-

Afvoer naar Bron Voltage (Vdss)

-

Huidige-Continue Drain (Id) @ 25 °C

-

Rds Op (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs

-

Input Capaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

-

frequentie

-

Huidige Rating (Amps)

-

Ruisgetal

-

Power-Output

-

Voltage-Rated

-

Drive Voltage (Max Rds Op, Min Rds Op)

-

Vgs (Max)

-

IGBT Soort

-

Vce (op) (Max) @ Vge, Ic

-

Input Capaciteit (Cies) @ Vce

-

Input

-

NTC Thermistor

-

Voltage-Afbraak (V (BR) GSS)

-

Huidige-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

-

Huidige Drain (Id)-Max

-

-Voltage Cutoff (VGS off) @ Id

-

Weerstand-RDS (On)

-

Spanning

-

Voltage-Uitgang

-

Voltage-Offset (Vt)

-

Huidige-Gate Anode Lekkage (Igao)

-

Huidige-Vallei (Iv)

-

Huidige-Piek

-

Toepassingen

Solar Inverters

Transistor Type

-

Type

Triode Transistor

Channel Polarity

N-Channel MOSFET

Configuration

Single

Package

TO247-3

Lead Free Status

RoHS Compliant

Condition

Original new 100%

Shipping by

DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SF or Other

Technology

MOSFET Metal Oxide

Verpakking en levering

Verpakkingsdetails

(Transistors) lsic1mo120e0080 mosfet sic 1200v 39a TO247-3 buis reel box

Port

Shenzhen

Leveringsvermogen

Leveringsvermogen

1000000 Stuk/stukken per Week Lange termijn

Doorlooptijd

Hoeveelheid (stukken)	1 - 1	> 1
Geschatte tijd (in dagen)	2	Overeen te komen

Maatwerk

Aangepaste verpakking

Min. Bestelling: 1000

Voor meer maatwerkdetails stuur een bericht naar de leverancier

Productbeschrijvingen van de leverancier

1 - 99 stukken

US$ 24,84

100 - 4999 stukken

US$ 22,80

>= 5000 stukken

US$ 16,56

Variaties

Totaal aantal opties:

Verzending

Er zijn momenteel geen verzendoplossingen beschikbaar voor de geselecteerde hoeveelheid

Ledenvoordelen

Snelle restitutiesBekijk meer

Bescherming voor dit product

Veilige betalingen

Elke betaling die u op Alibaba.com doet, is beveiligd met strikte SSL-codering en PCI DSS-gegevensbeschermingsprotocollen

Restitutiebeleid

Claim een restitutie als uw bestelling niet wordt verzonden, is zoekgeraakt of aankomt met productproblemen