50N06 Veld Effect Buis Mos Nieuwe Originele KFP50N06 CS50N06 KIA50N06 FQP50N06

Nog geen beoordelingen

Shenzhen Yingjiexun Electronics Co., Ltd.3 yrs

CN

Belangrijkste kenmerken

Belangrijkste specificatie voor de industrie

modelnummer

FQP50N06

type

Igbt Transistor

naam van het merk

import

pakket type

Throught Hole

Andere specificaties

plaats van herkomst

Original

Pakket/Case

TO-220

D/c

2021+

toepassing

MOSFET driver

Supplier Type

N channel

Media Beschikbaar

Field effect tube

品名

FQP50N06

Huidige-Collector (Ic) (Max)

33A

Voltage-Collector Emitter Afbraak (Max)

100V

Vce Verzadiging (Max) @ Ib, Ic

44mΩ 10V,16A

Huidige-Collector Cutoff (Max)

4V 250μA

DC Stroom Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Power-Max

130W

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C

Mounting Type

Through Hole

FET Type

N-Channel

FET Feature

Standaard

Power-Output

.

IGBT Soort

N-Channel

Configuratie

Enkele

Toepassingen

integrated circuit

Verpakking en levering

Verpakkingsdetails

box

Verkoopeenheden:

Enkel product

Afmetingen enkel pakket:

5X5X5 cm

Brutogewicht:

0.005 kg

Doorlooptijd

Hoeveelheid (stukken)	1 - 1	> 1
Geschatte tijd (in dagen)	7	Overeen te komen

Maatwerk

Aangepaste verpakking

Min. Bestelling: 1

Voor meer maatwerkdetails stuur een bericht naar de leverancier

Productbeschrijvingen van de leverancier

1 - 99 stukken

TRY 6,81

100 - 999 stukken

TRY 6,13

>= 1000 stukken

TRY 5,79

Variaties

Totaal aantal opties:

Verzending

Ledenvoordelen

Snelle restitutiesBekijk meer

Bescherming voor dit product

Delivery via

Expect your order to be delivered before scheduled dates or receive a 10% delay compensation

Veilige betalingen

Elke betaling die u op Alibaba.com doet, is beveiligd met strikte SSL-codering en PCI DSS-gegevensbeschermingsprotocollen

Restitutiebeleid en Easy Return

Claim een restitutie als uw bestelling niet wordt verzonden, is zoekgeraakt of aankomt met productproblemen, plus retourneer gratis lokaal bij defecten