Beschrijving
Igbt transistors igbt discretes
plaats van herkomst
Original
Werktemperatuur
-40 c, + 175 c
toepassing
Algemene Purpose
Supplier Type
Originele fabrikant, Odm, Agentschap, Retailer, Andere
Huidige-Collector (Ic) (Max)
Standaard
Voltage-Collector Emitter Afbraak (Max)
Standaard
Vce Verzadiging (Max) @ Ib, Ic
Standaard
Huidige-Collector Cutoff (Max)
Standaard
DC Stroom Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standaard
Frequentie-Overgang
Standaard
Bedrijfstemperatuur
Standaard
Weerstand-Base (R1)
Standaard
Weerstand-Emitter Base (R2)
Standaard
Afvoer naar Bron Voltage (Vdss)
Standaard
Huidige-Continue Drain (Id) @ 25 °C
Standaard
Rds Op (Max) @ Id, Vgs
Standaard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standaard
Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs
Standaard
Input Capaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
Standaard
Huidige Rating (Amps)
Standaard
Drive Voltage (Max Rds Op, Min Rds Op)
Standaard
Vce (op) (Max) @ Vge, Ic
Standaard
Input Capaciteit (Cies) @ Vce
Standaard
Voltage-Afbraak (V (BR) GSS)
Standaard
Huidige-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standaard
Huidige Drain (Id)-Max
Standaard
-Voltage Cutoff (VGS off) @ Id
Standaard
Weerstand-RDS (On)
Standaard
Voltage-Offset (Vt)
Standaard
Huidige-Gate Anode Lekkage (Igao)
Standaard
Huidige-Vallei (Iv)
Standaard
Toepassingen
Algemeen doel
Productcategorie
Igbt transistors
Collector-emitter verzadigingsspanning
1.6 v
Maximale spanning van de poort-emitter
-20 v, + 20 v
Pd-vermogensdissipatie
250 w
Continue collectorstroom bij 25 c
65 a
Producttype
Igbt transistors