4 Inch N-Type Ssp Si-Gedoteerde Gan-Op-Sapphire Epi-Wafer Voor Led Laser pin Apparaat

Nog geen beoordelingen

Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.2 yrs

CN

Belangrijkste kenmerken

Andere specificaties

plaats van herkomst

China

naam van het merk

GaNova

modelnummer

2JDWY03-001-023

type

Gan Wafer

Item

GaN-T-C-N-C100

Dimensions

100 ± 0.2 mm

Thickness/Thickness STD

4.5 ± 0.5 μm / < 3%

Orientation Flat of GaN

(1-100) 0 ± 0.2 °, 30 ± 1 mm

Conduction Type

N-type

*XRD FWHMs

(0002) < 300 arcsec,(10-12) < 400 arcsec

Orientation of Sapphire

C plane (0001) off angle toward M-axis 0.2 ± 0.1 °

Orientation Flat of Sapphire

(11-20) 0 ± 0.2 °, 30 ± 1 mm

Sapphire Polish

Single side polished (SSP) / Double side polished (DSP)

Useable Area

> 90% (edge and macro defects exclusion)

Verpakking en levering

Verpakkingsdetails

carton

Leveringsvermogen

Leveringsvermogen

100000 Stuk/stukken per Month

Productbeschrijvingen van de leverancier

5 - 24 stukken

₩ 408.155

>= 25 stukken

₩ 388.719

Variaties

Totaal aantal opties:

Verzending

Er zijn momenteel geen verzendoplossingen beschikbaar voor de geselecteerde hoeveelheid

Ledenvoordelen

Snelle restitutiesBekijk meer

Bescherming voor dit product

Veilige betalingen

Elke betaling die u op Alibaba.com doet, is beveiligd met strikte SSL-codering en PCI DSS-gegevensbeschermingsprotocollen

Restitutiebeleid en Easy Return

Claim een restitutie als uw bestelling niet wordt verzonden, is zoekgeraakt of aankomt met productproblemen, plus retourneer gratis lokaal bij defecten